抑制性突触后电位形成是突触后膜对某些离子通透性增加，包括A.Na，K，尤其是K

最全题库2022-08-02 80

问题抑制性突触后电位形成是突触后膜对某些离子通透性增加，包括A.Na

，K

，尤其是K

B.Ca

，Cl

，尤其是Ca

C.Na

，Cl

，尤其是Na

D.K

，Cl

，尤其是Cl

E.K

，Ca

，Na

，尤其是Ca

选项 A.Na

，K

，尤其是K

B.Ca

，Cl

，尤其是Ca

C.Na

，Cl

，尤其是Na

D.K

，Cl

，尤其是Cl

E.K

，Ca

，Na

，尤其是Ca

答案 D

解析抑制性突触后电位的形成是因为突触后膜对Cl

（为主）和K

的通透性升高，引起Cl

的内流和K

的外流，使膜内负电位更负，引进突触后神经元产生抑制。

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