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  3. 下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是A.是局部除极化电位 B.具有"全或无

下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是A.是局部除极化电位 B.具有"全或无

admin2022-08-02  115
问题 下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是A.是局部除极化电位B.具有"全或无"性质C.是局部超极化电位D.由突触前膜递质释放量减少所致E.由突触后膜对钠通透性增加所致
选项 A.是局部除极化电位
B.具有"全或无"性质
C.是局部超极化电位
D.由突触前膜递质释放量减少所致
E.由突触后膜对钠通透性增加所致
答案 C
解析 抑制性突触后电位(IPSP)的发生机制是某种抑制性递质作用于突触后膜时，导致氯离子通道开放，氯离子内流，从而使膜电位发生超极化。因此，IPSP属于局部超极化，而非除极化，也不具有"全或无"性质（这是动作电位的特征），不是因突触前膜递质释放量不足，而是足够量的抑制性递质。突触后膜对氯离子通透性增加，也可能有钠的通透性减少。
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