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下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是A.是局部除极化电位 B.具有"全或无
下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是A.是局部除极化电位 B.具有"全或无
admin
2022-08-02
35
问题
下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是A.是局部除极化电位B.具有"全或无"性质C.是局部超极化电位D.由突触前膜递质释放量减少所致E.由突触后膜对钠通透性增加所致
选项
A.是局部除极化电位
B.具有"全或无"性质
C.是局部超极化电位
D.由突触前膜递质释放量减少所致
E.由突触后膜对钠通透性增加所致
答案
C
解析
抑制性突触后电位(IPSP)的发生机制是某种抑制性递质作用于突触后膜时,导致氯离子通道开放,氯离子内流,从而使膜电位发生超极化。因此,IPSP属于局部超极化,而非除极化,也不具有"全或无"性质(这是动作电位的特征),不是因突触前膜递质释放量不足,而是足够量的抑制性递质。突触后膜对氯离子通透性增加,也可能有钠的通透性减少。
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