2. 学历类
  3. 下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是（　　）。A.是局部除极化电位 B.具

下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是（　　）。A.是局部除极化电位 B.具

题库2022-08-02  119
问题 下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是（　　）。A.是局部除极化电位B.具有“全或无”性质C.是局部超极化电位D.由突触前膜递质释放量减少所致E.由突触后膜对钠通透性增加所致
选项 A.是局部除极化电位
B.具有“全或无”性质
C.是局部超极化电位
D.由突触前膜递质释放量减少所致
E.由突触后膜对钠通透性增加所致
答案 C
解析 抑制性突触后电位（IPSP）的发生机制是某种抑制性递质作用于突触后膜，导致Cl－通道开放，Cl－内流，使膜发生超极化。AＣ项，IPSP是局部超极化电位，而不是除极化电位。B项，由于IPSP是局部电位，因此不具备“全或无”性质。DE两项，IPSP的产生主要是突触后膜对Cl－通透性增加所致，也可能与Na＋通透性减小有关，不是因突触前膜递质释放量减少引起，也不是由突触后膜对钠通透性增加所致。
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