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  3. 可产生抑制性突触后电位的离子基础是 A. K+ B. Na+ C. Ca2

可产生抑制性突触后电位的离子基础是 A. K+ B. Na+ C. Ca2

admin2022-08-02  35
问题 可产生抑制性突触后电位的离子基础是A. K+B. Na+C. Ca2+D. Cl-E. H+
选项
答案 D
解析 本题考核抑制性突触后电位的产生机制。Cl-是产生抑制性突触后电位的离子基础。突触前神经元轴突末梢释放抑制性递质→与突触后膜上相应的受体结合后→提高突触后膜对Cl-、K+等离子的通透性（尤其是Cl- ) →Cl-内流（为主）、K+外流→突触后膜超极化，产生抑制性突触后电位（IPSP)。
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