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可产生抑制性突触后电位的离子基础是 A. K+ B. Na+ C. Ca2
可产生抑制性突触后电位的离子基础是 A. K+ B. Na+ C. Ca2
admin
2022-08-02
38
问题
可产生抑制性突触后电位的离子基础是A. K+B. Na+C. Ca2+D. Cl-E. H+
选项
答案
D
解析
本题考核抑制性突触后电位的产生机制。Cl-是产生抑制性突触后电位的离子基础。突触前神经元轴突末梢释放抑制性递质→与突触后膜上相应的受体结合后→提高突触后膜对Cl-、K+等离子的通透性(尤其是Cl- ) →Cl-内流(为主)、K+外流→突触后膜超极化,产生抑制性突触后电位(IPSP)。
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临床执业医师
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